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November 20 11
FDC658AP
Single P-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
-30V, -4A, 50m :
General Description
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using
Fairchild's advanced PowerTrench process. It has been
optimized for battery power management applications.
Applications
? Battery management
? Load switch
? Battery protection
? DC/DC conversion
Features
? Max r DS(on) = 50 m : @ V GS = -10 V, I D = -4A
? Max r DS(on) = 75 m : @ V GS = -4.5 V, I D = -3.4A
? Low Gate Charge
? High performance trench technology for extremely low
r DS(on)
? RoHS Compliant
D
D
S
1
6
PIN 1
G
D
D
SuperSOT TM -6
2
3
5
4
Absolute Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Ratings
-30
r 25
Units
V
V
I D
P D
T J , T STG
Drain Current - Continuous
- Pulsed
Maximum Power dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
-4
-20
1.6
0.8
-55 to +150
A
W
°C
Thermal Characteristics
R T JA
R T JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
30
°C/W
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.58A
Device
FDC658AP
Reel Size
7inch
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
?20 11 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC658AP Rev. B 1
1
www.fairchildsemi.com
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